Τι είναι η μνήμη τυχαίας προσπέλασης (reram); - ορισμός από την τεχνολογία

Ορισμός - Τι σημαίνει η αντίσταση μνήμης τυχαίας προσπέλασης (ReRAM);

Η αντιστασιακή μνήμη τυχαίας προσπέλασης (RRAM / ReRAM) είναι ένας νέος τύπος μνήμης που έχει σχεδιαστεί για να είναι μη πτητικός. Είναι υπό ανάπτυξη από πολλές εταιρείες, ενώ ορισμένοι έχουν ήδη κατοχυρώσει με δίπλωμα ευρεσιτεχνίας τις δικές τους εκδόσεις της τεχνολογίας. Η μνήμη λειτουργεί με την αλλαγή της αντίστασης του ειδικού διηλεκτρικού υλικού που ονομάζεται memresistor (αντίσταση μνήμης) του οποίου η αντίσταση ποικίλλει ανάλογα με την εφαρμοζόμενη τάση.

Η Techopedia εξηγεί τη μνήμη τυχαίας προσπέλασης (ReRAM)

Το RRAM είναι το αποτέλεσμα ενός νέου τύπου διηλεκτρικού υλικού το οποίο δεν είναι μόνιμα κατεστραμμένο και αποτυγχάνει όταν συμβαίνει διάλυση. για ένα memresistor, η διηλεκτρική βλάβη είναι προσωρινή και αναστρέψιμη. Όταν η τάση εφαρμόζεται σκόπιμα σε ένα memresistor, δημιουργούνται στο υλικό μικροσκοπικά αγώγιμα μονοπάτια που ονομάζονται νήματα. Τα νημάτια προκαλούνται από φαινόμενα όπως μετανάστευση μετάλλων ή ακόμη και φυσικά ελαττώματα. Τα νήματα μπορούν να σπάσουν και να αντιστραφούν εφαρμόζοντας διαφορετικές εξωτερικές τάσεις. Είναι αυτή η δημιουργία και καταστροφή νηματίων σε μεγάλες ποσότητες που επιτρέπει την αποθήκευση ψηφιακών δεδομένων. Τα υλικά που έχουν χαρακτηριστικά memresistor περιλαμβάνουν οξείδια τιτανίου και νικελίου, μερικούς ηλεκτρολύτες, υλικά ημιαγωγών και ακόμη και μερικές οργανικές ενώσεις έχουν δοκιμαστεί για να έχουν αυτά τα χαρακτηριστικά.

Το κύριο πλεονέκτημα της RRAM έναντι άλλων μη πτητικών τεχνολογιών είναι η υψηλή ταχύτητα μεταγωγής. Λόγω της λεπτότητας των memresistors, έχει μεγάλες δυνατότητες για υψηλή πυκνότητα αποθήκευσης, μεγαλύτερες ταχύτητες ανάγνωσης και εγγραφής, χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας και φθηνότερο κόστος από τη μνήμη flash. Η μνήμη flash δεν μπορεί να συνεχίσει να κλιμακώνεται λόγω των ορίων των υλικών, οπότε η RRAM θα ​​αντικαταστήσει σύντομα τη μνήμη flash.