Πίνακας περιεχομένων:
Ορισμός - Τι σημαίνει Perfect RAM;
Η τέλεια μνήμη RAM είναι ένας τύπος μη πτητικής μνήμης τυχαίας προσπέλασης. Αποθηκεύει δεδομένα μεταβάλλοντας την κατάσταση του χρησιμοποιούμενου υλικού. το χαλκογενιδικό γυαλί μεταβαίνει μεταξύ καταστάσεων όταν υποβάλλεται στη θερμότητα που παράγεται από τη διέλευση ενός ηλεκτρικού ρεύματος. Σε μικροσκοπικό επίπεδο, τα δεδομένα αλλάζουν εμπρός και πίσω μεταξύ δύο καταστάσεων: άμορφης και κρυσταλλικής.
Το Perfect RAM είναι μία από τις πολλές τεχνολογίες μνήμης που ανταγωνίζονται για την αντικατάσταση της μνήμης flash, η οποία έχει πολλά προβλήματα.
Αυτός ο όρος είναι επίσης γνωστός ως PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM και μνήμη αλλαγής φάσης (PCM).
Η Techopedia εξηγεί την Perfect RAM
Στην άμορφη κατάσταση (ή διαταραγμένη φάση), το υλικό έχει υψηλή ηλεκτρική αντίσταση. Στην κρυσταλλική κατάσταση (ή σε παραγγελία) έχει λιγότερη αντίσταση. Έτσι, επιτρέπεται η ενεργοποίηση και απενεργοποίηση του ηλεκτρικού ρεύματος, που αντιπροσωπεύει ψηφιακές υψηλές και χαμηλές καταστάσεις που αντιστοιχούν στις τιμές 1 και 0 ενός δυαδικού κώδικα. Πρόσφατη έρευνα έχει ανακαλύψει δύο πρόσθετες καταστάσεις, πράγμα που διπλασιάζει την ικανότητα αποθήκευσης.
Οι χρόνοι εγγραφής για μια μνήμη flash είναι περίπου ένα χιλιοστά του δευτερολέπτου για ένα μπλοκ δεδομένων, 100.000 φορές μεγαλύτερο από το τυπικό χρόνο ανάγνωσης 10 nanosecond (ns) για ένα byte που χρησιμοποιεί στατική μνήμη τυχαίας προσπέλασης (SRAM). Η τέλεια μνήμη RAM μπορεί να προσφέρει πολύ υψηλότερες επιδόσεις όταν η γρήγορη γραφή είναι σημαντική. Η μνήμη flash υποβαθμίζεται με κάθε έκρηξη τάσης. Τέλειες συσκευές RAM υποβαθμίζουν, αλλά με πολύ πιο αργό ρυθμό. Αυτές οι συσκευές μπορούν να αντέξουν περίπου 100 εκατομμύρια κύκλους εγγραφής. Ο τέλειος χρόνος ζωής RAM περιορίζεται από τη θερμική επέκταση κατά τον προγραμματισμό, τη μετανάστευση μετάλλων και τους άγνωστους μηχανισμούς.
Μερικές από τις προκλήσεις για τέλεια τεχνολογία RAM περιλαμβάνουν την απαίτηση για υψηλή πυκνότητα προγραμματισμού ρεύματος (ακριβής έλεγχος ρεύματος), μακροχρόνια αντίσταση (παρατεταμένη αντίσταση στο ηλεκτρικό ρεύμα) και μετατόπιση τάσης κατωφλίου (ακριβής έλεγχος της ηλεκτρικής τάσης) μικροσκοπικό επίπεδο. Η Hewlett-Packard, η Samsung, η STMicroelectronics και η Numonyx, μεταξύ άλλων, ερευνούν τις προκλήσεις αυτές.
